Page 18 - LAMINATRANSITOR

INCLUIDO EN LAMINAS EN 2018
Prof: Bolaños D.
Electrónica
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR (V.18-10-10)

Si tenemos una sola fuente de tensión y un transistor NPN, las posibles
formas de polarizarlo son las siguientes. (Y SUS COMBINACIONES)

POLARIZACIÓN FIJA POR DIVISOR DE POR REALIMENTACIÓN POR REALIMENTACIÓN
TENSIÓN (sin RE) DE COLECTOR DE EMISOR

Eligiendo las resistencias adecuadas podremos fijar en cada caso un punto
de trabajo ICQ VCEQ correspondiente a alguna zona de trabajo posible
(corte - zona activa - saturación).

POLARIZACION FIJA

Circulando por la malla de entrada, es posible despejar IB ,(VBE =0.7v):

.
VCC RB IB VBE 0 IB VCC VBE
RB

Si suponemos que esta en la zona activa vale:
.
IC B IB

Esta ultima suposición hay que verificarla, para lo cual calculamos VCE.
Para estar en la zona activa se debe verificar que VCE > 0.7v y menor que
VCC (la fuente).

Circulando por la malla de salida:
.
VCE VCC IC RC

Si VCE no cumple > 0.7 v y < VCC entonces el TBJ esta saturado, y por lo
tanto no es valida:
.
IC B IB

Para calcular la IC suponemos que como esta saturado la VCE es baja y
< 0.7 v , por ejemplo 0.1 v. Así despejamos de la malla de salida IC
(con VCE = 0.1 v):
VCC VCE
IC
RC

RECTA DE CARGA (EN CONTINUA)
La recta de carga es la que surge de IC = f(VCE), podemos obtener su
ecuación a partir de la circulación por la malla de salida y comparandolá
con la ecuación de una recta: Y = m.X + b
Los puntos de esta recta corresponden a los posibles puntos de trabajo del
TBJ (ICQ, VCEQ) al variar la IB.

Así de la ecuación : VCC-IC.RC-VCE = 0 (malla de salida)

VCC VCE 1 VCC
IC IC . VCE
RC RC RC

1